Qorvo®, Inc.近日宣布推出针对下一代有源电子扫描阵列(AESA)雷达设计的高性能X频段前端模块(FEM)——QPM2637 和 QPM1002。这些符合出口标准的氮化镓产品也符合任务关键型操作所必需的高RF功率生存性要求。 预计到 2022 年，适合雷达应用的RF前端组件的需求量将超过 10 亿美元，未来五年的复合年增长率为9%。由于GaN普及率明显超过其他技术选项，因此预计未来五年，国防应用的RF GaN器件市场（如雷达、电子战和通信）的复合年增长率将达到24%。 Qorvo的新型FEM（QPM2637和QPM1002）采用公司的创新GaN技术构建，可实现更高的效率、可靠性、功率和生存性，同时可缩减尺寸、重量和成本。 GaN FEM在紧凑的单封装中集成了四种功能，包括RF开关、功率放大器、低噪声放大器和限幅器。典型的砷化镓(GaAs)低噪声放大器在不到100mW的输入功率条件下都会受损，与之相比，GaN FEM的接收端可承受最高4W的输入功率，且不会造成永久损坏。 Qorvo高性能解决方案总经理Roger Hall表示：“利用Qorvo经过现场验证的GaN技术，客户可解决许多 AESA 雷达系统设计相关挑战，包括提高功率输出和可靠性。新推出的GaN模块符合出口要求，提升了我们交付最高级别集成产品（四合一产品）的能力，有助于客户针对任务关键性雷达系统选择尺寸最小但性能最高的FEM。”