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SS1A28C7186A低噪声放大器芯片
SS1A28C7186A芯片是一款GaAs MMIC低噪声放大器芯片,采用了GaAs的高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺生产制作,该芯片的工作频率为71~86GHz,在VD=3V,ID=50mA的直流供电条件下,实现了20 dB的小信号增益和3.5dB的噪声系数以及13dBm的1dB压缩点输出功率。
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SS1A44C5060B低噪声放大器芯片
SS1A44C5060B芯片是一款GaAs MMIC低噪声放大器芯片,采用了GaAs的高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺生产制作,该芯片的工作频率为50~60GHz,在VD=3V,ID=31mA的直流供电条件下,实现了13.5 dB的小信号增益和3.1dB的噪声系数以及10.5dBm的1dB压缩点输出功率。
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SS1A44C5060A低噪声放大器芯片
SS1A44C5060A芯片是一款GaAs MMIC低噪声放大器芯片,采用了GaAs的高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺生产制作,该芯片的工作频率为50~60GHz,在VD=3V,ID=40mA的直流供电条件下,实现了14.5 dB的小信号增益和3.4dB的噪声系数以及4.5dBm的1dB压缩点输出功率。
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SS1A41C3337A低噪声放大器芯片
SS1A41C3337A芯片是一款GaAs MMIC低噪声放大器芯片,采用了GaAs的高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺生产制作,该芯片的工作频率为33~37 GHz,在VD=5V,ID=107mA的直流供电条件下,实现了21 dB的小信号增益和2.2dB的噪声系数以及12.7dBm的1dB压缩点输出功率。
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SS1A27C2640B低噪声放大器芯片
SS1A27C2640B芯片是一款GaAs MMIC低噪声放大器芯片,采用了GaAs的高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺生产制作,该芯片的工作频率为26~40GHz,在VD=3V,ID=42mA的直流供电条件下,实现了24 dB的小信号增益和2.5dB的噪声系数以及1.8dBm的1dB压缩点输出功率。
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SS1A33C1722A低噪声放大器芯片
SS1A33C1722A芯片是一款GaAs MMIC低噪声放大器芯片,采用了GaAs的高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺生产制作,该芯片的工作频率为17~22 GHz,在VD=3.3V,ID=6mA的直流供电条件下,实现了22 dB的小信号增益和1.4dB的噪声系数以及4dBm的1dB压缩点输出功率。
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SS1A49C1624A低噪声放大器芯片
SS1A49C1624A芯片是一款GaAs MMIC低噪声放大器芯片,采用了GaAs的高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺生产制作,该芯片的工作频率为16~24GHz,在VD=5V,ID=56mA的直流供电条件下,实现了26 dB的小信号增益和1.8dB的噪声系数以及13.5dBm的1dB压缩点输出功率。
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SS1A39C1418A低噪声放大器芯片
SS1A39C1418A芯片是一款GaAs MMIC低噪声放大器芯片,采用了GaAs的高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺生产制作,该芯片的工作频率为14~18GHz,在VD=5V,ID=46mA的直流供电条件下,实现了16.5 dB的小信号增益和1.7 dB的噪声系数以及13.5 dBm的1dB压缩点输出功率。
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